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长鑫科技第六代DRAM平台完成工程样片验证

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AI 综述

长鑫科技宣布其基于4F²架构的第六代DRAM技术平台已完成工程样片验证,同时第五代平台已实现量产。该事件标志着长鑫在先进存储芯片制程上取得阶段性突破。 此次验证的核心在于4F²垂直沟道设计,通过缩小存储单元面积以提高密度。公司预计将于今年年底送样首代DDR5 RDIMM产品。

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10月31日
  1. IT之家
    长鑫科技第六代 DRAM 技术平台完成工程样片验证

    长鑫科技宣布基于 4F² 架构的第六代 DRAM 技术平台完成工程样片验证,同时第五代平台已量产。该架构通过垂直沟道设计缩小存储单元面积并提高密度,预计今年年底送样首代 DDR5 RDIMM 产品。

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