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台积电拟为英伟达生产3D DRAM

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AI 综述

台积电正考虑进军先进内存芯片制造领域,应英伟达要求规划生产“3D DRAM”。该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量,旨在满足AI算力对高带宽、高密度内存的需求。 目前量产时间未定。台积电正在评估兴建新厂或收购改造现有晶圆厂两条路径。官方回应称不评论市场传闻。

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11月7日
  1. IT之家
    消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造,有望为英伟达打造 3D DRAM

    台积电正考虑进军先进内存芯片制造,已应英伟达要求规划生产“3D DRAM”。该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量,旨在满足 AI 算力对高带宽、高密度内存的需求。目前量产时间未定,台积电正在评估兴建新厂或收购改造现有晶圆厂两条路径,但官方回应称不评论市场传闻。

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