SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算研究成果
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SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算研究成果
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SK海力士公布基于3D FeNAND的模拟存内计算（A-CiM）研究成果，相关论文已发表于IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据，在单个存储单元内产生多种电流状态以执行乘积累加运算。 此举旨在减少数据搬运并提升AI计算的能效与速度。
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最新进展10月15日 19:05
SK 海力士公布 3D FeNAND 模拟存内计算研究成果报道时间线
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10月15日
- IT之家SK 海力士公布 3D FeNAND 模拟存内计算研究成果
SK 海力士公布基于 3D FeNAND 的模拟存内计算（A-CiM）研究成果，相关论文已发表于 IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据，在单个存储单元内产生多种电流状态以执行乘积累加运算，旨在减少数据搬运并提升 AI 计算的能效与速度。
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