三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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AI 综述
三星电子正在开发针对AI负载优化的zNAND-T和zNAND-I两款NAND闪存，标志着产品从通用型向定制化方向转变。此前已公布zNAND-O，此次新增两款分别侧重不同性能指标。 zNAND-T采用TSV堆叠技术，旨在优化数据中心读写带宽；zNAND-I则聚焦KV Cache卸载等场景，提升IOPS随机性能。
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最新进展10月12日 13:54
三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能报道时间线
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10月12日
- IT之家三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 NAND 闪存。zNAND-T 采用 TSV 堆叠技术以优化数据中心读写带宽，zNAND-I 则聚焦 KV Cache 卸载等场景的 IOPS 随机性能。这标志着 NAND 闪存正从通用型产品转向针对不同应用负载的定制化方向。
本事件热度走势
- 可比范围当前
- 3
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- 1010月12日 14:00
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